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J-GLOBAL ID：200903082249013007
パターン形成方法および処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993044936
Publication number (International publication number)：1994260407
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】 パターンプロファイルの良好なレジストパターン形成方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にフォトレジスト2を塗布した後、半導体基板1を30°C〜150°Cの範囲で加温しながらアルカリ処理を行い、露光、現像を行う。又は半導体基板1上にフォトレジスト2を塗布した後、半導体基板1に真空処理を施してからアルカリ処理、露光、現像を行う。【効果】 フォトレジスト表面に難溶化層を厚く形成でき、露光、現像後のレジストパターンの膜減りを防止できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にフォトレジストを塗布した後、アルカリ処理を行いフォトレジスト表面に難溶化層を形成し、露光、現像を行うレジストパターン形成方法において、上記アルカリ処理時に上記半導体基板を30°C〜150°Cの範囲で加温することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 501
H01L 21/30 361 F
, H01L 21/30 361 S
