微細パターン接続用回路部品およびその形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001372978
Publication number (International publication number)：2003174055
Application date： Dec. 06, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】接続信頼性の高い多孔質金属部分を有する微細パターン接続用バンプの提供。【解決手段】接続用バンプの高さばらつきを吸収できるように接続用バンプの構造の一部を潰れやすい多孔質金属で形成すること、および接続バンプ間で金属・金属結合を形成できる接続用バンプの構造を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に導体配線回路、および他の基板あるいは部品とを電気的に接続するための接続用バンプを有する回路部品であって、該接続用バンプが金属薄膜とその上に積層された多孔質金属からなり、該多孔質金属が複数の金属微粒子が結合した構造で形成されていること、該多孔質金属の密度ρ1が、金属微粒子を形成する金属の密度をρ0として0.2ρ0≦ρ1≦0.9ρ0の範囲に入ること、該金属微粒子は熱処理により一部分溶融し冷却により再固化する過程で金属微粒子同士が結合したものであり、前記再固化した部分が前記熱処理と同一処理で溶融しないこと、該多孔質金属からなる接続用バンプが熱圧着により別の基板上の接続用バンプと接続される場合に、該バンプとの間で金属・金属結合を形成することを特徴とする微細パターン接続用回路部品。

FI (3)：

H01L 21/92 603 A , H01L 21/92 604 Z , H01L 21/92 602 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

金属ペーストの焼成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-115340 Applicant：日本真空技術株式会社
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-322607 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-290307 Applicant：株式会社日立製作所

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