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J-GLOBAL ID：200903082273675223
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992122064
Publication number (International publication number)：1993326392
Application date： May. 14, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言えば、レジスト膜のパターンを精度良く形成し、レジストパターンの倒れを防止するための現像工程,洗浄工程及び乾燥工程の改善を目的とする。【構成】半導体基板上に形成された感光性膜を現像する工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導体基板を洗浄する工程において、少なくとも、表面張力が純水よりも小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像する工程と、表面張力の小さい洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する工程との何れかを含み構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された感光性膜を現像する工程又は前記感光性膜の現像後に前記半導体基板を洗浄する工程において、少なくとも、表面張力が純水よりも小さい現像液を用いて前記感光性膜を現像する工程か、表面張力が純水より小さい洗浄液を用いて前記半導体基板を洗浄する工程かの何れかを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/027
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/304 361
