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J-GLOBAL ID：200903082283960511

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266788
Publication number (International publication number)：2002155119
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： May. 28, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R1、R2はそれぞれ結合して環を形成してもよく、その場合は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又は-O-、-S-もしくは-NH-で示される結合を形成する。jは2〜4の整数である。kは0又は1である。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れているうえに、主鎖への環状アルキル基の導入によりプラズマエッチング耐性が向上し、それと同時に優れた解像性を有することがわかった。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R1、R2はそれぞれ結合して環を形成してもよく、その場合は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又は-O-、-S-もしくは-NH-で示される結合を形成する。jは2〜4の整数である。kは0又は1である。)

IPC (5)：

C08F232/00 ,  C08F220/10 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5)：

C08F232/00 ,  C08F220/10 ,  C08F222/40 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (43)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL16Q ,  4J100AL71Q ,  4J100AM45Q ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR32P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA12Q ,  4J100BA28P ,  4J100BA28Q ,  4J100BA31Q ,  4J100BA40Q ,  4J100BA51P ,  4J100BB07P ,  4J100BB12P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC59Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA38