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J-GLOBAL ID：200903082284792930

化合物半導体基板

Inventor： 小宮山 純 ,  吉田 晃 ,  大石 浩司 ,  阿部 芳久 ,  鈴木 俊一 ,  中西 秀夫
Applicant, Patent owner： コバレントマテリアル株式会社
Agent (2)： 木下 茂 ,  石村 理恵
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007233818
Publication number (International publication number)：2009065082
Application date： Sep. 10, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：

【課題】化合物半導体単結晶層に残留するキャリアを抑制することによって、高速および高耐電圧デバイスに好適な窒化物半導体単結晶層を有する化合物半導体基板を提供する。【解決手段】Si単結晶基板1上に、B,Al,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜2μmの3C-SiC単結晶バッファー層2と、C,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜5μmのGaN単結晶層3とが順次積層された構成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Si単結晶基板上に、B,Al,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜2μmの3C-SiC単結晶バッファー層と、C,V,Ni,Fe,Mg,Pt,Cr,Mo,W,Ta,Nb,Sc,Ti,Au,Co,Cuのうちの少なくともいずれか1種の不純物元素を1014〜1021/cm3含む、厚さ0.05〜5μmのGaN単結晶層とが順次積層されていることを特徴する化合物半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L21/20 ,  H01L21/205

F-Term (21)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC20 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F152LL02 ,  5F152LL05 ,  5F152LN03 ,  5F152MM05 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NP02 ,  5F152NP05 ,  5F152NP09 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 化合物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-024714   Applicant：東芝セラミックス株式会社