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J-GLOBAL ID：200903082291526537

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 渡邉 正樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231298
Publication number (International publication number)：1993074954
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】ポリイミド系有機層間絶縁膜110中の水分は開口部112中の導電性物質116の腐食や異常成長の原因となるので側壁115を設けこれらを分離することにより良好な多層配線を有する半導体装置を提供する。【構造】下層配線107と上層配線117との間の層間絶縁膜としてポリイミド系有機絶縁膜110を有し、これら配線を層間接続する位置に開口部112を設け、この開口部112の内壁に無機膜115による側壁115を設けてその表面を他の開口部118とし、この他の開口部118の内部に上下の配線を接続する導電性物質層116を設けたことを特徴とする半導体装置及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

上層の配線と少なくともタングステンを含む膜を上面に有する下層の配線との間にポリイミド系有機絶縁物を主成分とする層間絶縁膜を有し、前記層間絶縁膜の所望の部分に開口部を有し、前記開口部の側壁に無機膜を有し、前記無機膜を介して前記開口部内にタングステンまたはタングステン合金などの導電性物質を有し、前記下層の配線と前記上層の配線とを前記導電性物質を介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置。