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J-GLOBAL ID：200903082291966588

半導体構造物およびその製造方法

Inventor： 辻村 歩 ,  横川 俊哉
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002019656
Publication number (International publication number)：2003224072
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 Si系基板上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる際のクラック発生を抑制し、結晶品質を向上させる。【解決手段】 Si基板上にスパッタ法でNi層を形成し、アンモニア気流中500〜900°Cで熱処理することによりNi3N層を形成する。これをテンプレート層としてAlN層、GaN層を順次エピタキシャル成長させる。

Claim (excerpt)：

Si系基板上に形成された遷移金属元素X(XはV、Cr、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、Wの群から選ばれる元素)を含む層と、前記遷移金属元素Xを含む層の上に形成されたIII族元素およびNを含む半導体層とを備えていることを特徴とする半導体構造物。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/26 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/26 ,  H01L 29/80 H

F-Term (29)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB13 ,  5F045HA06 ,  5F045HA24 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GR01 ,  5F102GR06 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21