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J-GLOBAL ID：200903082297982780

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 新井 雄史 ,  片寄 照雄
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996056308
Publication number (International publication number)：1997246429
Application date： Mar. 13, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高密度な配線が形成され、かつ硬化ポリフェニレン樹脂絶縁材料の良好な電気特性により、信号速度及び信号品質の向上した半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁材としてポリフェニレンエーテル樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

誘電率が3.5以下である樹脂からなる絶縁材を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/14 ,  C08L 71/12 LQL

FI (2)：

H01L 23/14 R ,  C08L 71/12 LQL