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J-GLOBAL ID：200903082300375911

誘電体セラミック、その製造方法およびその評価方法ならびに積層セラミック電子部品

Inventor： 小中 宏泰 ,  中村 友幸 ,  岡松 俊宏 ,  佐野 晴信
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 小柴 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001077576
Publication number (International publication number)：2002274936
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 還元性雰囲気での焼成によって得られるものであって、誘電率が高く、誘電率の温度変化および直流電圧印加下での経時変化が小さく、CR積が高く、高温高電圧における絶縁抵抗の加速寿命が長い、信頼性に優れた誘電体セラミックを提供する。【解決手段】 ABO3 (AはBa等。BはTi等。)で表わされる主成分と希土類元素を含む添加成分とを含む組成を有する、誘電体セラミックにおいて、結晶粒子11の内部の分析点1〜9における希土類元素の平均濃度が、粒界12における希土類元素の平均濃度の1/2以下であるとともに、結晶粒子11の中央部の分析点1における希土類元素の濃度が、結晶粒子11の径に対して表面から5%までの領域の分析点6〜9における希土類元素の最大濃度の1/50以上となる結晶粒子の割合が20〜70%であるという条件を満足するようにする。

Claim (excerpt)：

一般式ABO3 (Aは、Ba、CaおよびSrのうちのBaを含む少なくとも1種であり、Bは、Ti、ZrおよびHfのうちのTiを含む少なくとも1種である。)で表わされる主成分と希土類元素を含む添加成分とを含む組成を有し、かつ前記ABO3 を主成分とする結晶粒子と結晶粒子間を占める粒界とからなるセラミック構造を有し、前記希土類元素の濃度分布に関して、結晶粒子の内部における希土類元素の平均濃度が、粒界における希土類元素の平均濃度の1/2以下であるという条件を満足するとともに、結晶粒子のうちの20〜70%の個数の結晶粒子については、結晶粒子の中央部における希土類元素の濃度が、結晶粒子の径に対して表面から5%までの領域における希土類元素の最大濃度の1/50以上となる条件を満足する、誘電体セラミック。

IPC (3)：

C04B 35/46 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361

FI (3)：

C04B 35/46 D ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361

F-Term (22)：

4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA10 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA03 ,  4G031CA05 ,  4G031GA01 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06