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J-GLOBAL ID:200903082307215502

高純度チタン錯体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992067441
Publication number (International publication number):1993271253
Application date: Mar. 25, 1992
Publication date: Oct. 19, 1993
Summary:
【要約】【構成】 分子式 Ti(R1)2(R2)2 ......(I)(ただし、R1はβ-ジケトンを示し、R2はアルコキシ基を示す)で表され、次の特性、?@熱重量分析による不純物気化量が0.01重量%未満であること、?A熱重量分析によるキレート気化量が99.5重量%以上であること、?B元素分析により、炭素が理論値の99.0〜101.0%であること、?C元素分析により、水素が理論値の99.0〜101.0%であること、?DICP分析により、チタン含有量が理論値の99.0〜101.0%である特性を有する高純度チタン錯体。【効果】 本発明による高純度チタン錯体は、蒸発温度が低く揮発性、反応性が良好であって腐食性の塩素を生成しないなどの利点を有し、さらに極めて高純度なものなので、CVD法により良質のチタン含有複合酸化物を製造できる。
Claim (excerpt):
分子式(I)Ti(R1)2(R2)2 ......(I)(ただし、R1はβ-ジケトンを示し、R2はアルコキシ基を示す)で表され、次の特性、?@熱重量分析による不純物気化量が0.01重量%未満であること、?A熱重量分析によるキレート気化量が99.5重量%以上であること、?B元素分析により、炭素が理論値の99.0〜101.0%であること、?C元素分析により、水素が理論値の99.0〜101.0%であること?DICP分析により、チタン含有量が理論値の99.0〜101.0%であることを備えていることを特徴とする高純度チタン錯体。
IPC (2):
C07F 7/28 ,  C23C 16/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 特開昭48-034132
  • 特開昭60-081140
  • 特開昭61-136995
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