Pat

J-GLOBAL ID：200903082315971286

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 福永 敏明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998029602
Publication number (International publication number)：1999233874
Application date： Feb. 12, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Ga1-z1Alz1Asクラッド層2、n-Ga1-z2Alz2As光導波層3、Inx3Ga1-x3As量子井戸活性層4、p-Ga1-z2Alz2As光導波層5、p-Ga1-z1Alz1Asクラッド層6、p-GaAsコンタクト層7を順次形成する。素子端面となる領域に半導体層上方からBイオンを注入してアニール処理することにより、活性層4の素子端面領域にBイオンを拡散せしめて、活性層4の無秩序化を行い端面に窓構造を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともp型またはn型の一方の導電性を有する第一クラッド層、量子井戸活性層、p型またはn型の他方の導電性を有する第二クラッド層を含む複数の半導体層が積層されてなるIII-V族の半導体レーザ装置であって、前記量子井戸活性層の共振器端面近傍領域に、Bイオンが拡散せしめられて無秩序化されたBイオン拡散領域を備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。