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J-GLOBAL ID：200903082325658624

多層配線の製造方法

Inventor： 宮田 幸児
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999339279
Publication number (International publication number)：2001156170
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 2層マスクを用いたデュアルダマシン構造の製造方法で、配線溝を形成するエッチングの際に、そのときのエッチングマスクの後退を抑えて、エッチング加工精度の向上を図る。【解決手段】 第1のマスク15とそれよりも上層に配置される第2のマスク16とを用いて、配線が形成される配線溝22と、その配線溝22に形成される配線と該配線よりも下層の配線とに接続するプラグが形成される接続孔21とを第1、第2の層間絶縁膜12、14に形成する多層配線の製造方法において、第2のマスク16に形成された開口部17の側壁に、この第2のマスク16よりもエッチング耐性の高い材料からなるサイドウォール19を形成する多層配線の製造方法である。

Claim (excerpt)：

第1のマスクと該第1のマスクよりも上層に配置される第2のマスクとを用いて、配線が形成される配線溝と、該配線溝に形成される配線と該配線よりも下層の配線とを接続するプラグが形成される接続孔とを層間絶縁膜に形成する多層配線の製造方法において、前記第2のマスクに形成された開口部の側壁に、前記第2のマスクよりもエッチング耐性の高い材料からなるサイドウォールを形成することを特徴とする多層配線の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A

F-Term (28)：

4M104AA01 ,  4M104DD04 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104HH14 ,  5F033MM02 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24