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J-GLOBAL ID:200903082327755864
積層体の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
泉名 謙治 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997089657
Publication number (International publication number):1998278165
Application date: Apr. 08, 1997
Publication date: Oct. 20, 1998
Summary:
【要約】【課題】耐擦傷性が改善され、充分な光触媒活性を有する酸化物膜が形成された積層体の製造方法の提供。【解決手段】基体11上に、反応性DCスパッタリング法により、主としてアナターゼ型結晶の結晶粒を有し、かつ、特定の酸化度を有するようにTiの酸化物を主成分とする酸化物膜2を形成する積層体の製造方法。
Claim (excerpt):
基体上に、Tiを主成分とする金属ターゲットから酸化性雰囲気で反応性DCスパッタリング法によりTiの酸化物を主成分とする酸化物膜を成膜してなる積層体の製造方法において、該Tiの酸化物を主成分とする酸化物膜を、主としてアナターゼ型結晶の結晶粒を有し、かつ、大気中で測定時の仕事関数が4.5〜6.0eVの範囲であり、光量1μWで一定値以上のエネルギーの紫外線を当てたときに出てくる電子数の紫外線エネルギーに対する傾きが8.5以下となるように形成することを特徴とする積層体の製造方法。
IPC (6):
B32B 9/00
, B01J 35/02
, C01G 23/04
, C03C 17/245
, C23C 14/08
, C23C 14/34
FI (6):
B32B 9/00 A
, B01J 35/02 J
, C01G 23/04 C
, C03C 17/245 A
, C23C 14/08 E
, C23C 14/34 M
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