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J-GLOBAL ID：200903082344088235
ドライエッチング方法、及びドライエッチング装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石島 茂男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995120476
Publication number (International publication number)：1996296070
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 エッチングレート、選択比が大きく、テーパ形状のAl配線が得られる技術を提供する。【構成】 三ヨウ化硼素ガス、ヨウ化水素ガスから一種以上を選んで成る第1反応ガスと、三塩化硼素ガス、塩素ガス、四塩化シリコンガスから一種以上を選んで成る第2反応ガスとを主成分とするエッチングガスのプラズマでAl薄膜の所望部分をエッチング除去すると、レジスト膜側壁に保護膜を形成しながらドライエッチングを行うことができるので、テーパ形状のAl配線を形成できる。カソードと基板間の熱交換ガスにエッチングガス中のイオンアシストガスを用いると、基板温度の制御性がよい。
Claim (excerpt)：
基板上に成膜されたアルミニウムを主成分とする金属薄膜の所望領域をパターンニングされたレジスト膜で保護し、エッチングガスを導入してガスプラズマを発生させ、前記金属薄膜の所望部分をエッチング除去する金属薄膜のドライエッチング方法であって、前記エッチングガスには、三ヨウ化硼素ガス、ヨウ化水素ガスから成る第1反応ガス群のなかから一種以上を選んで成る第1反応ガスと、三塩化硼素ガス、塩素ガス、四塩化シリコンガスから成る第2反応ガス群の中から一種以上を選んで成る第2反応ガスとが含まれていることを特徴とするドライエッチング方法。
Patent cited by the Patent：
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