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J-GLOBAL ID：200903082350470494

プラズマ処理装置、プラズマ生成導入部材及び誘電体

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明

, 
大沢 哲

About 大沢 哲


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000085264
Publication number (International publication number)：2001274149
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、被処理体への所定のプラズマ処理速度を確保しつつ不純物の混入を防止することによって高品質のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置、プラズマ導入部材及び誘電体を提供することを例示的目的とする。【解決手段】 被処理体にプラズマ処理を行う処理室と、プラズマ処理に必要なマイクロ波を案内するスロット電極との間に配置可能で比誘電率ε<SB>t</SB>と厚さHを有し、厚さHは誘電板内のマイクロ波の波長λを用いて0.5λ<H<0.75λ、好ましくは、0.6λ≦H≦0.7λを満足し、波長λは真空中のマイクロ波の波長λ<SB>0</SB>と誘電板の波長短縮率n=1/(ε<SB>t</SB>)<SP>1/2</SP>とを用いてλ=λ<SB>0</SB>nを満足する。
Claim (excerpt)：
被処理体にプラズマ処理を行う処理室と、前記プラズマ処理に必要なマイクロ波を案内するスロット電極との間に配置可能で比誘電率ε<SB>t</SB>と厚さHを有する誘電板であって、前記誘電板の前記厚さHは、前記誘電板内の前記マイクロ波の波長λを用いて0.5λ<H<0.75λを満足し、前記マイクロ波の前記波長λは、真空中の前記マイクロ波の波長λ<SB>0</SB>と前記誘電板の波長短縮率n=1/(ε<SB>t</SB>)<SP>1/2</SP>とを用いてλ=λ<SB>0</SB>nを満足する誘電板。
IPC (5)：
H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/511 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6)：
H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B
F-Term (68)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA02 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA02 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BC02 ,  5F004BC06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA11 ,  5F004DA12 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA29 ,  5F045AA09 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AF07 ,  5F045BB14 ,  5F045CB01 ,  5F045DC55 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EH01 ,  5F045EH03 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK01 ,  5F045EN04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • プラズマ処理方法および装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036521   Applicant：株式会社日立製作所
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339519   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
  • プラズマ処理装置およびスパッタ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-270187   Applicant：株式会社フロンテック, 大見忠弘, アルプス電気株式会社
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