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J-GLOBAL ID：200903082359603098

エピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor： 丹野 幸悦
Applicant, Patent owner： エム・イー・エム・シー株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998366876
Publication number (International publication number)：2000195768
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 研磨工程を経ることなくエピタキシャル層を形成できるシリコンウェーハ基板を利用したエピタキシャルウェーハの製造方法の提供。【解決手段】 ケミカルエッチングにより得られるケミカルエッチドウェーハをH2ガスの存在下で高温加熱処理に供することにより、表面の粗さRMSが10nm以下のシリコンウェーハを調製し、このものの表面にエピタキシャル層を形成することにより目的が達成される。

Claim (excerpt)：

ケミカルエッチドウェーハをH2ガスの存在下に高温加熱処理に供し、表面の粗さRMSを10nm以下とし、その表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。