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J-GLOBAL ID：200903082363117769

負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタ

Inventor： 中山 晃慶 ,  藤田 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 森下 武一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000310267
Publication number (International publication number)：2002121071
Application date： Oct. 11, 2000
Publication date： Apr. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 成形性が良好で、高湿環境下での信頼性の高い負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物及び負特性サーミスタを得る。【解決手段】 Mnと、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mg、Alのうち少なくとも1種の元素との固溶体からなるスピネル系複合酸化物に、AMnO3(AはCa、Sr、Ba、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Hoの少なくとも1種)を0.1〜20mol%添加してなる負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物。ペロブスカイトMn複合酸化物としては、CaMnO3、SrMnO3、BaMnO3、LaMnO3、PrMnO3、NdMnO3、SmMnO3、EuMnO3、GdMnO3、TbMnO3、DyMnO3、HoMnO3があり、これらのうち1種を用いてもよいし、2種以上を併用して用いてもよい。

Claim (excerpt)：

Mnと、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mg、Alのうち少なくとも1種の元素との固溶体からなるスピネル系複合酸化物に、AMnO3(AはCa、Sr、Ba、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Hoの少なくとも1種)を0.1〜20mol%添加してなることを特徴とする負の抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物。

IPC (2)：

C04B 35/495 ,  H01C 7/04

FI (2)：

H01C 7/04 ,  C04B 35/00 J

F-Term (25)：

4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA19 ,  4G030AA22 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA29 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030BA06 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  5E034BA09 ,  5E034BB01 ,  5E034BC01 ,  5E034DA02 ,  5E034DC01 ,  5E034DC06