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J-GLOBAL ID:200903082367006171

半導体基板の温度調節機構

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997094296
Publication number (International publication number):1998050811
Application date: Mar. 07, 1997
Publication date: Feb. 20, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体基板を急速昇降温できる温度調節機構に係わる【解決方法】 冷却機構の上面に加熱機構が、加熱機構の上面に静電吸着機構が一体的に結合された構造からなり、該静電吸着機構の上面に半導体基板を静電吸着、固定して該吸着界面の熱伝達によって半導体基板温度を昇降温させて該基板温度を調節することを特徴とする。
Claim (excerpt):
半導体基板を静電吸着して固定する静電吸着機構の底面に加熱機構を結合し、該加熱機構の底面に冷却機構を結合した構造からなり、該吸着した半導体基板を該加熱機構と該冷却機構によって間接的に加熱、冷却して該基板温度を調節することを特徴とする半導体基板の温度調節機構。
IPC (6):
H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/31
FI (6):
H01L 21/68 R ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/324 Q ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 B

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