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J-GLOBAL ID：200903082369322984

SOI基板の製造方法

Inventor： 中▲吉▼ 雄一 ,  石井 明洋 ,  橋口 英里子
Applicant, Patent owner： 九州コマツ電子株式会社 ,  コマツ電子金属株式会社
Agent (1)： 衞藤 彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994274177
Publication number (International publication number)：1996107092
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 従来技術に比し、取り加工後の活性基板の残留層の厚さを薄く且つばらつきを少なく研削し、V溝の発生をなくと共に、短時間で製造することができるSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 支持基板2と活性基板3を貼り合わせて貼合せウェハ4を得る。ダイシングマシンに研削砥石1を設ける。貼合せウェハ4を水平方向に回転させると共に、研削砥石1を活性基板3に対し垂直に回転させる。貼合せウェハ4の外周部の上面に研削砥石1を上方から接触させる。残留層11aを残し活性基板3の外周部を研削する。

Claim (excerpt)：

支持基板として機能する半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェハを貼り合わせてSOI基板を製造するに当たり、活性基板の外周部を面取りする方法において、貼り合わせた半導体ウェハを水平方向に回転させると共に、これに対し略垂直方向に回転する研削砥石を前記活性基板の上方から接触させて研削するようにしたことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 301 ,  H01L 27/12