Pat

J-GLOBAL ID：200903082387452577

プラズマ処理方法及び装置

Inventor： 奥村 智洋 ,  中山 一郎 ,  池田 哲
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035517
Publication number (International publication number)：1995245194
Application date： Mar. 07, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 比較的高真空において高密度プラズマを発生することができ、かつプラズマ密度とイオンエネルギーの独立制御性に優れた高周波誘導方式のプラズマ処理方法及び装置を提供する。【構成】 真空容器1内に基板3を載置する電極2を配設するとともに、この電極2に電極用高周波電源4を接続し、コイル用高周波電源6に接続されて高周波磁界を発生するコイル5を、真空容器1の基板3に対向する壁面1aに沿わせて配設し、コイル5が配設されている平面上における高周波磁界の向きがその平面の一部を除く大部分の領域でこの平面に平行になるようにした。

Claim (excerpt)：

真空容器内の電極上に基板を載置し、真空容器の基板に対向する壁面に沿わせて配設したコイルにて発生させた高周波磁界により基板に対向する壁面近傍に閉じ込められたプラズマを形成し、電極に印加する高周波電圧にて基板に到達するイオンエネルギーを制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C