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J-GLOBAL ID：200903082387951204
透明導電膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 静男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992334732
Publication number (International publication number)：1994187832
Application date： Dec. 15, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ITO膜よりも耐湿性に優れた透明導電膜の製造方法を提供する。【構成】 インジウム化合物と亜鉛化合物とをInとZnの原子比がIn/Zn=1/1〜1/10になる割合で、アルカノールアミンの存在下に溶解させてコーティング溶液を調製し、このコーティング溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処理することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Claim (excerpt)：
一般式 In2 O3 (ZnO)m (m=2〜20) で表される六方晶層状化合物からなることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4)：
H01B 5/14
, C30B 29/22
, G02F 1/1343
, H01B 13/00 503
