電界放出型陰極

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062318
Publication number (International publication number)：1998241549
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】通常のCVD法により形成したP型ダイアモンド薄膜を用いて、低電界で電子放出を得ることができる電子放出型陰極を提供する。【解決手段】 P型ダイアモンドを電子放出層とし、電子注入手段から注入された電子が、P型ダイアモンドの禁制帯の幅よりわずかに大きい、あるいはわずかに小さい禁制帯の幅を有するN型半導体を介して、P型ダイアモンドに注入されるように構成する。電子注入手段からN型半導体の伝導帯に供給された電子は、さらにP型半導体の伝導帯に供給される。P型ダイアモンドの伝導帯のエネルギー準位は、真空の準位より大きいので、低い電界を印加するだけでP型ダイアモンド表面から電子が放出されるようになる。

Claim (excerpt)：

ダイアモンドからなる電子放出層と、該電子放出層に電子を注入する電子注入手段と、前記電子放出層表面から真空中に電子を引出すための電界を前記電子放出層表面に発生させる電圧印加手段とを備えた電界放出型陰極において、前記電子放出層はP型ダイアモンドからなり、前記電子注入手段から注入された電子が、N型半導体を介して前記P型ダイアモンドに注入されることを特徴とする電界放出型陰極。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-067528
電子放出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-072358 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-067528

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