バイアホール形成方法および装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995241332
Publication number (International publication number)：1997082803
Application date： Sep. 20, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】製造プロセスを変更することなく高品質のバイアホールを形成する。【解決手段】導体配線22上に絶縁膜21が被覆された試料3に対して連続励起QスイッチNd:YAGレーザの第四高調波光(FH光)を照射して、絶縁膜21表面に、フラッシュランプ励起QスイッチNd:YAGレーザの第二高調波光(SH光)8を吸収する薄膜23を形成する。形成された薄膜23に対してSH光8を照射することによって、その薄膜23下部の絶縁膜21を除去するものである。

Claim (excerpt)：

導体配線上に絶縁膜が被覆された試料に対して第1のレーザ光を照射して、前記絶縁膜を除去することによってバイアホールを形成する方法であって、前記絶縁膜表面に、前記第1のレーザ光を吸収する薄膜を形成する第1の工程と、前記薄膜に対して前記第1のレーザ光を照射することによって、その薄膜下部の前記絶縁膜を除去する第2の工程とを含むことを特徴とするバイアホール形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/90 A , H01L 21/28 L , H01L 21/302 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331540 Applicant：日本電気株式会社

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