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J-GLOBAL ID：200903082404838824

多層配線形成法

Inventor： 服部 敦夫
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210141
Publication number (International publication number)：1993036842
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 層間絶縁膜をエッチバックして層間接続部を露出させることを含む多層配線形成法において、層間接続部の低抵抗化を図る。【構成】 基板10を覆う絶縁膜12の表面にAl又はAl合金等の単層の配線材を被着してパターニングすることにより第1の配線層30を形成するが、この配線層形成の前又は後に配線材をエッチングして配線層30から突出した形の層間接続部30aを形成する。そして、基板上面に層間絶縁膜36を形成した後、この層間絶縁膜をエッチバックして層間接続部30aを露出させる。この後、基板上面に層間接続部30aと接続されるように第2の配線層40を形成する。層間接続部30aとして第1の配線層の一部を使用するので、接続抵抗の低減が可能となる。

Claim (excerpt)：

(a)基板を覆う絶縁膜の表面に単層の配線材からなる第1の配線層を形成する工程と、(b)前記第1の配線層を形成する前又は形成した後前記配線材を選択的にエッチングすることにより前記第1の配線層の一部から突出した形の層間接続部を形成する工程と、(c)前記絶縁膜の上に前記第1の配線層及び前記層間接続部を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、(d)前記層間絶縁膜をエッチバックして前記層間接続部を露出させ且つ該層間接続部の周囲に前記層間絶縁膜の一部を残存させる工程と、(e)前記層間絶縁膜の残存部分の上に前記層間接続部と接続されるように第2の配線層を形成する工程とを含む多層配線形成法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-002351
  
• 特開昭60-198844