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J-GLOBAL ID：200903082405927596

光半導体装置、半導体レーザーユニット、及び光メモリ装置用光ヘッド

Inventor： 有村 敏男 ,  武田 高司 ,  竹腰 太郎 ,  米窪 政敏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993075961
Publication number (International publication number)：1994290476
Application date： Apr. 01, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 内部に信号検出手段を複数実装した半導体レーザーユニットにおいて、迷光の少ないユニットを提供する。【構成】 半導体レーザーパッケージから出射するレーザー光の偏光方向に平行な方向側に光記録媒体からの信号検出手段を備え、接合面に垂直な方向側にレーザー出力検出手段を備えて構成される。 【効果】 カバーガラス等の半導体レーザーチップ前方にある光学部品表面からの反射光が信号検出用手段に迷光として入射するのを削減させ、また、前記カバーガラス等の半導体レーザーチップ前方にある光学部品表面からの反射光を用いて半導体レーザーチップの出力モニターを行う為の受光素子入射光量を増加させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた凹部に前記基板表面に略平行な方向に光を出射する半導体レーザーチップが載置され、さらに前記基板凹部の前方出射レーザー光が当たる部分に前記基板に略垂直な方向に反射する反射鏡面を備え、さらに前記基板から略垂直に出射するレーザー光の偏光方向と平行な方向、叉は前記レーザー光の楕円短軸と平行な方向の前記基板上に光記録媒体からの反射光を検出する信号検出手段を備え、前記レーザー光の偏光方向と垂直な方向、叉は前記レーザー光の楕円長軸と平行な方向の前記基板上にレーザー出力検出手段を備えたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (5)：

G11B 7/125 ,  G11B 7/135 ,  H01L 31/12 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18