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J-GLOBAL ID：200903082411776346

高密度YIG多結晶フェライトの製造方法

Inventor： 川田 幸広
Applicant, Patent owner： 太陽誘電株式会社
Agent (1)： 佐野 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993093805
Publication number (International publication number)：1994279106
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】酸素欠損による格子欠陥の少ない高密度YIG多結晶フェライトを提供する。【構成】YIGフェライト原料組成物を1〜10気圧で酸素濃度40〜60%の雰囲気下において仮焼する工程と、この仮焼物を用いた成型体を酸素分圧が酸素濃度で10%以上及び1200°C以上の雰囲気で焼成する工程を有する高密度YIG多結晶フェライトの製造方法。【効果】高密度YIG多結晶フェライトを提供できるので、高周波帯域におけるアイソレータやサーキュレータといった非可逆線路用デバイスに用いると、挿入損失を低減することができる。

Claim (excerpt)：

酸化第二鉄、酸化イットリウムを含有するYIGフェライト原料組成物を1〜10気圧で酸素濃度40%以上の雰囲気において仮焼する仮焼工程と、該仮焼工程で得られた仮焼物を用いて得られた成型体を酸素分圧が酸素濃度で10%以上となる雰囲気下において1200°C以上で焼成する焼成工程を有する高密度YIG多結晶フェライトの製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/40 ,  C01G 49/00 ,  H01F 1/34