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J-GLOBAL ID：200903082417575822

真空内でダイヤモンド質のカーボン薄膜を成膜する方法

Inventor： ゴンチャレンコ,ワレリー,パヴロヴィチ ,  コルパコフ,アレックサンダー,ヤコヴレヴィチ ,  マスロフ,アナトリー イワノヴィチ
Applicant, Patent owner： パティノール アーエス
Agent (1)： 木村 進一 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999500540
Publication number (International publication number)：2002501575
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Jan. 15, 2002
Summary：

【要約】被処理体の表面を前処理した後、真空室において加速イオンにより処理し、その処理表面に副膜層を形成し、陰極点からグラファイト陰極にアーク真空スパッタリングを施してカーボンプラズマを生成し、カーボンプラズマのイオンを加速してカーボンプラズマを被処理体表面に堆積させることによりダイヤモンド質のカーボン薄膜を形成する真空中でダイヤモンド質のカーボン薄膜を成膜する方法において、カーボンプラズマを生成し、加速し、堆積するために、パルスアーク放電によって複数の陰極点をグラファイト陰極の端部表面で励起して陰極点を陰極の端部表面に沿って10乃至30m/sの速度で移動させ、被処理体を真空室において電気的に絶縁した状態で、40乃至100eVのイオンエネルギーと、1012乃至1014cm-3のプラズマ中のイオン濃度とをもったカーボンプラズマを発生し、放電のパルス反復周波数を制御することにより被処理体の温度を200乃至450Kの範囲に維持することを特徴としたカーボン薄膜の成膜方法。

Claim (excerpt)：

被処理体の表面を前処理した後、真空室において加速イオンにより処理し、その処理表面に副膜層を形成し、陰極点からグラファイト陰極にアーク真空スパッタリングを施してカーボンプラズマを生成し、カーボンプラズマのイオンを加速してカーボンプラズマを被処理体表面に堆積させることによりダイヤモンド質のカーボン薄膜を形成する真空中でダイヤモンド質のカーボン薄膜を成膜する方法において、カーボンプラズマを生成し、加速し、堆積するために、パルスアーク放電によって複数の陰極点をグラファイト陰極の端部表面で励起して陰極点を陰極の端部表面に沿って10乃至30m/sの速度で移動させ、被処理体を真空室において電気的に絶縁した状態で、40乃至100eVのイオンエネルギーと、1012乃至1014cm-3のプラズマ中のイオン濃度とをもったカーボンプラズマを発生し、放電のパルス反復周波数を制御することにより被処理体の温度を200乃至450Kの範囲に維持することを特徴としたカーボン薄膜の成膜方法。

IPC (3)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/22 ,  C23C 14/32

FI (3)：

C23C 14/06 F ,  C23C 14/22 Z ,  C23C 14/32 B