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J-GLOBAL ID：200903082447688184

ドライエツチング方法及びそのための装置

Inventor： 関根 誠 ,  堀岡 啓治 ,  岡野 晴雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991260376
Publication number (International publication number)：1993102083
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】マイクロローディング効果をなくし、また、照射損傷が少なく、良好なエッチング形状の得られるドライエッチング方法及び装置を提供すること。【構成】反応性元素を含むガスを、高圧領域から低圧領域に吹き出させることにより、クラスタ状原子集団を形成する工程、形成されたクラスタ状原子集団をイオン化する工程、及びイオン化されたクラスタ状原子集団を被処理体に照射することにより被処理体を選択的にエッチングする工程を具備するドライエッチング方法。

Claim (excerpt)：

反応性元素を含むガスを、高圧領域から低圧領域に吹き出させることにより、クラスタ状原子集団を形成する工程、形成されたクラスタ状原子集団をイオン化する工程、及びイオン化されたクラスタ状原子集団を、被処理体に照射することにより該被処理体を選択的にエッチングする工程を具備するドライエッチング方法。