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J-GLOBAL ID：200903082459486412

ダイヤモンドの気相成長法

Inventor： 築野 孝 ,  今井 貴浩 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992254376
Publication number (International publication number)：1994107494
Application date： Sep. 24, 1992
Publication date： Apr. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 気相合成法によるエピタキシャル成長を長時間維持し、均質かつ良質な厚膜ダイヤモンド単結晶層の製造方法を得る。【構成】 基板の主たる成長面の{100}面からのずれが10度以内であり、気相から最初にエピタキシャル成長をさせる、少なくとも0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を、気相中の炭素と水素の元素量の比率A(A=[C]/[H])を2%以上の条件で成長させ、その後比率Aが2%未満の条件でエピタキシャル成長を続ける。【効果】 硼素や窒素などの種々のドーピングをした大面積のダイヤモンドが容易に得られる。したがって、工具、半導体基材、放熱基板、光学材料、音響振動板などに幅広く用いることができる。

Claim (excerpt)：

立方晶の単結晶基板上に少なくとも炭素と水素を含む気相からダイヤモンドをエピタキシャル成長させる方法であって、基板の主たる成長面の{100}面からのずれが10度以内であり、気相から最初にエピタキシャル成長をさせる、少なくとも0.1μm以上300μm以下のダイヤモンド層を、気相中の炭素と水素の元素量の比率A(A=[C]/[H])を2%以上の条件で成長させ、その後比率Aが2%未満の条件でエピタキシャル成長を続けることを特徴とするダイヤモンドの気相成長法。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18