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J-GLOBAL ID：200903082461853791

微細構造体の形成方法

Inventor： 平田 嘉裕
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991253342
Publication number (International publication number)：1993094937
Application date： Oct. 01, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板に垂直な方向により複雑な形状を有するアスペクト比の高い微細構造体を形成する方法を提供する。【構成】 基板1上に厚いレジスト層6を形成した後、マスク8で覆ってシンクロトロン放射光によるリソグラフィを行ないレジストパターンを形成する(図2(a))。次に、電気めっきを行なってレジストパターン9の谷間にNi構造体10を堆積する(図2(b))。以上のようなリソグラフィおよび電気めっきによる金属構造体の堆積を、基板1に垂直な方向に複数回繰返して複雑な形状の微細構造体やアスペクト比の高い微細構造体を得る。

Claim (excerpt)：

基板上に第1のレジスト層を形成した後、前記第1のレジスト層についてシンクロトロン放射光によるリソグラフィを用いて第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに従って、前記基板上に第1の金属構造体を電気めっきにより堆積させる工程と、前記第1の金属構造体上に第2のレジスト層を形成した後、シンクロトロン放射光によるリソグラフィを用いて第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンに従って、前記第1の金属構造体上に第2の金属構造体を電気めっきにより堆積させる工程とを備える、微細構造体の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84