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J-GLOBAL ID：200903082469312145

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 下山 謙司 ,  佐藤 義人 ,  山内 敦典 ,  藤井 克司 ,  後藤 秀樹
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995010107
Publication number (International publication number)：1996204234
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 キャリア濃度や膜厚が高度に制御された発光ダイオードおよびその製造方法を提供すること。【構成】 厚さ5μm以上かつp型のAlGaAs系材料からなるクラッド層および/または光取り出し層を有し、このクラッド層および/または光取りだし層のドーピング不純物として炭素を含む発光ダイオード、およびIII族原料としてトリアルキルアルミニウムを用いた有機金属気相成長法を用いる発光ダイオードの製造方法。

Claim (excerpt)：

ドーパントとして炭素を含み、厚さ5μm以上のp型クラッド層および/または光取り出し層を有する発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205