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J-GLOBAL ID：200903082477920120

強誘電体層を有する層構造体、および層構造体の製造方法

Inventor： ライナー ブルフハウス ,  ダナ ピッツァー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998508367
Publication number (International publication number)：2000515329
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】基板と白金層と強誘電体層とを有する層構造体において、白金層と基板の間の接着性を改善するために、アモルファス酸化アルミニウムから成る中間層が設けられる。この中間層により強誘電体層のモルフォロジーが改善され、層構造体の均一性が保証される。

Claim (excerpt)：

少なくとも基板(S)と、白金層(PS)と、白金層(PS)上に形成された強誘電体層(FS)とを有しており、 前記基板(S)と白金層(PS)との間にアモルファスAl2O3の中間層(ZS)が形成されている、 ことを特徴とする層構造体。

IPC (4)：

H01L 41/09 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (4)：

H01L 41/08 L ,  H01L 21/316 X ,  H01L 41/08 J ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-147992   Applicant：三菱電機株式会社