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J-GLOBAL ID：200903082483703130

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法

Inventor： ジャマル・ラムダニ ,  ラビンドラナス・ドローパッド ,  ツィイ・ユ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000213906
Publication number (International publication number)：2001068467
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄く安定な、シリコンとの結晶性ケイ酸塩インタフェースを作成する方法を提供する。【解決手段】 半導体構造を作成する方法は:表面12を有するシリコン基板10を設ける段階;シリコン基板10の表面12上に非晶質二酸化シリコン14を形成する段階;非晶質二酸化シリコン14の上に金属酸化物18を設ける段階;半導体構造を加熱してシリコン基板10の表面12に隣接するシード層20からなるインタフェースを形成する段階;およびシード層20上に高誘電率酸化物22の1つ以上の層を形成する段階;を備える。

Claim (excerpt)：

半導体構造を作成する方法であって:表面(12)を有するシリコン基板(10)を設ける段階;前記シリコン基板の前記表面に、ケイ酸塩結晶性材料からなるシード層(20)を形成する段階;および前記シード層に1層以上の高誘電率酸化物層(22)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/32

FI (3)：

H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 M ,  C30B 29/32 C