Pat

J-GLOBAL ID：200903082493529090

薄膜半導体装置及びその製造方法

Inventor： 及川 三郎 ,  望月 康弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991218690
Publication number (International publication number)：1993055570
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 画素駆動及びその周辺回路に適し、製品の均一性・再現性が優れた薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 周辺駆動回路用薄膜トランジスタのチャンネル領域は、多結晶及び非晶質シリコンの積層構造を用い、画素駆動用薄膜トランジスタのチャンネル領域は単層非晶質シリコン構造を用い、それぞれ逆スタガ構造とする。周辺駆動回路用薄膜トランジスタの多結晶シリコン層は非晶質シリコンの局所レーザアニールで形成する。

Claim (excerpt)：

同一の絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、単層の非晶質半導体層チャンネル領域、ソース電極及びドレイン電極を順次形成した第1の逆スタガ構造の電界効果型薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層チャンネル領域、ソース電極及びドレイン電極を順次形成した第2の逆スタガ構造の電界効果型薄膜トランジスタとを有することを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 311 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-062158
  
• 特開平3-171776
  
• 特開昭63-119576
  
• 特開平3-080569