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J-GLOBAL ID：200903082494013101

電界効果トランジスタ

Inventor： 西川 幸江 ,  福島 伸 ,  山口 豪 ,  佐竹 秀喜
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002094147
Publication number (International publication number)：2003298043
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 LSIの高集積化を目指し、性能を維持、向上させながら微細化を進めるには、ゲート絶縁膜として高誘電率で、かつSi界面特性を良好に保持できるものが要求される。【解決手段】 本発明では、電界効果トランジスタのゲート絶縁膜3が、希土類元素から選ばれた1種類以上の金属、及び、酸素と窒素を含み、且つ、窒素がSi基板との界面、及び、バルク中に含有されている希土類酸窒化物からなる実質的に結晶質である誘電体層を含む点を特徴とし、さらに、これらの希土類酸窒化物を単結晶とすることによりトランジスタ特性をさらに高める点も特徴とする。

Claim (excerpt)：

Si半導体基板にソース及びドレイン領域を設け、そのソース及びドレイン領域間の前記Si基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備えてなる電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が、希土類元素から選ばれた1種類以上の金属、及び、酸素と窒素を含む実質的に結晶質であり、且つ、前記窒素が前記Si基板との界面、及び、バルク中に含有されている誘電体層を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

F-Term (36)：

5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BF20 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F083EP02 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083GA21 ,  5F083HA08 ,  5F083JA05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BH02 ,  5F101BH12 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140CB04