Pat

J-GLOBAL ID：200903082505449799

酸化物結晶の作製法

Inventor： 新居 裕介 ,  山田 容士 ,  伊藤 嘉章 ,  吉田 隆 ,  平林 泉
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  日本碍子株式会社 ,  中部電力株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995282162
Publication number (International publication number)：1997124396
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 13, 1997
Summary：

【要約】【課題】 結晶成長温度を低温化し、良好な結晶成長を維持しつつ結晶中に不純物陽イオン元素を取り込まず、かつ大気中での結晶成長においても磁束のピンニング現象に関して低酸素時の成長と同等の効果を得ることができる酸化物結晶の作製法の提供。【解決手段】 溶液成長法により酸化物結晶を作製する酸化物結晶の作製法において、酸化物結晶の構成元素より成る酸化物と、酸化物結晶の構成元素より成るハロゲン化物の混合物を溶媒として用いる。

Claim (excerpt)：

溶液成長法により酸化物結晶を作製する酸化物結晶の作製法において、前記酸化物結晶の構成元素を少なくとも1種含む酸化物と、前記酸化物結晶の構成元素を少なくとも1種含むハロゲン化物との混合物を溶媒として用いることを特徴とする酸化物結晶の作製法。

IPC (7)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 15/02 ,  C30B 19/04 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (7)：

C30B 29/22 501 B ,  C01G 1/00 S ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 15/02 ,  C30B 19/04 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-301590
  
• 特開昭62-003092
  
• 特開平1-148796
  
• 特公昭54-000514