半導体素子製造用のマスクパターンとその形成方法、及び微細パターンを有する半導体素子の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005213263
Publication number (International publication number)：2006048035
Application date： Jul. 22, 2005
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】シリコンを含有する自己組立分子層を備えるマスクパターンとその形成方法、及び半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】マスクパターンを形成するために、まず基板上の下地膜110上に、下地膜110を第1幅ほど露出させる開口部を備えたレジストパターン120を形成する。次いで、レジストパターン120の表面にシリコンを含有する自己組立分子層132を形成する。レジストパターン120及び自己組立分子層132をエッチングマスクとして下地膜110をエッチングして、微細パターンを具現する。【選択図】図4B

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたレジストパターンと、前記レジストパターン上にコーティングされた自己組立分子層と、を備える半導体素子製造用のマスクパターンであり、前記自己組立分子層がシリコンを含有することを特徴とする半導体素子製造用のマスクパターン。

IPC (2)：

G03F 7/40 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F7/40 511 , H01L21/30 570

F-Term (9)：

2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096HA05 , 2H096HA07 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 2H096KA21 , 5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平01-307228号公報
パタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192151 Applicant：株式会社日立製作所
微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-038866 Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社

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Cited by examiner (7)

特開平2-224331
パタン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192151 Applicant：株式会社日立製作所
特開平1-307228

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