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J-GLOBAL ID：200903082530891242

薄膜半導体装置及びその製造方法並び液晶表示装置

Inventor： 小川 和宏 ,  小野 記久雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991223953
Publication number (International publication number)：1993063196
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】高移動度かつ低オフ電流の逆スタガ構造TFTを形成し、最終的には液晶表示装置において、駆動用周辺回路を表示部と同一基板上に内蔵することが可能なTFTを形成することを目的とする。【構成】絶縁性基板上にゲート電極を形成した後、プラズマCVD法でSiN膜を堆積する。次に、プラズマCVD法でa-Si:H膜を10〜40nmの膜厚で堆積した後、エキシマレーザを130〜200mJ/cm2 のエネルギーで照射し、前記a-Si:H膜をpoly-Si膜に変換する。次に、前記poly-Si膜の上部にプラズマCVD法でa-Si:H膜を堆積した後、ソース・ドレイン領域を形成し、最後にパッシベーション膜を形成する。この様にして形成したTFTはエキシマレーザの照射時にSiN膜の膜質を損なうことなく、高移動度かつ低オフ電流の特性となる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にゲート電極,ゲート絶縁膜,チャンネル領域,ソース領域,ドレイン領域を備えた逆スタガ構造の薄膜半導体装置において、前記チャネル領域をゲート絶縁膜と接する側から多結晶シリコン,非晶質シリコンの順で二層構造とし、かつ前記多結晶シリコンの膜厚が10nm以上40nm以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12