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J-GLOBAL ID：200903082535328392

酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム

Inventor： 松田 修成 ,  伊関 清司 ,  森原 芳治 ,  宇野 利夫 ,  大谷 寿幸 ,  山田 陽三
Applicant, Patent owner： 東洋紡績株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992024578
Publication number (International publication number)：1993186622
Application date： Jan. 13, 1992
Publication date： Jul. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 包装フィルムにおいて、耐レトルト性、耐屈曲性、ガスバリア性に優れた酸化硅素系ガスバリアフィルムを提供することにある。【構成】 プラスチックフィルムの少なくとも片面に真空蒸着した酸化硅素系薄膜のガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重を1.80〜2.20とするによってガスバリア性に優れ、また耐レトルト性、耐ゲルボ性(耐屈曲性)の極めて良好であり実用上極めて有効な酸化硅素系ガスバリアフィルムを提供できる。

Claim (excerpt)：

プラスチックフィルムの少なくとも片面に酸化硅素系薄膜が形成されたガスバリアフィルムにおいて、該薄膜の比重が1.80〜2.20であることを特徴とする酸化硅素系薄膜積層ガスバリアフィルム。

IPC (4)：

C08J 7/06 ,  B32B 7/02 ,  B32B 9/00 ,  B32B 27/06