CMP用研磨装置及びCMP用装置システム

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187379
Publication number (International publication number)：1998034522
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】フェルト状のポリシャを用いたCMP研磨にかかる問題点を補って、被研磨物の縁だれが小さく、面精度がよく、しかも歩留りの高いCMP用研磨装置またはCMP用装置システムを提供すること。【解決手段】少なくとも、定盤22、該定盤22に設けられ被研磨物3の表面を研磨する前記被研磨物3よりも小サイズの研磨ポリシャ21、前記被研磨物3の保持部24、被研磨物表面に研磨剤を供給する研磨剤供給機構、前記被研磨物表面上にある研磨ポリシャ21に対して所望の研磨圧力を付与する圧力付与機構25、を備えたCMP用研磨装置。

Claim (excerpt)：

少なくとも、定盤、該定盤上に設けられ被研磨物の表面を研磨する研磨ポリシャ、該研磨ポリシャ上に研磨剤を供給する研磨剤供給機構、被研磨物の保持・搬送部、及び該保持・搬送部に保持され、前記研磨ポリシャ上にある被研磨物の表面に対して所望の研磨圧力を付与する圧力付与機構、前記保持・搬送部の揺動機構を備えたCMP用研磨装置において、研磨中または研磨後における前記被研磨物表面の研磨量分布もしくは膜厚分布または研磨量の最大値を確認する研磨モニター系を設け、前記分布が所定条件を満たすことを、或いは前記研磨量の最大値が許容限界値に達しつつあることを前記研磨モニター系が検知した場合には研磨を終了させ、それ以外の場合には研磨の継続または再研磨を行わせる研磨制御系をさらに設けたことを特徴とするCMP用研磨装置。

IPC (4)：

B24B 37/00 , B24B 37/04 , B24B 49/12 , H01L 21/304 321

FI (5)：

B24B 37/00 B , B24B 37/00 F , B24B 37/04 A , B24B 49/12 , H01L 21/304 321 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ウエハ研磨方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-217987 Applicant：住友金属鉱山株式会社
貼り合わせウェーハの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-143422 Applicant：コマツ電子金属株式会社
半導体基板の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037627 Applicant：松下電器産業株式会社

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