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J-GLOBAL ID：200903082558592267

窒化シリコン膜のドライエッチング方法

Inventor： 日数谷 健一 ,  齋藤 勉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992273293
Publication number (International publication number)：1994124924
Application date： Oct. 13, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は,半導体デバイスの絶縁膜として多用される窒化シリコン膜のドライエッチング方法に関し,下地の二酸化シリコン膜とのエッチング選択比を大きくすることを目的する。【構成】 窒化シリコン膜3のECRプラズマエッチングにおいて, エッチングガス5に六弗化硫黄, 水素, 窒素の混合三元系ガスを用いるように,また,エッチングガス5の混合比を,六弗化硫黄に対して, 水素1〜5%,窒素5〜20%とするように構成する。

Claim (excerpt)：

窒化シリコン膜(3) のECRプラズマエッチングにおいて,エッチングガス(5) に六弗化硫黄, 水素, 窒素の混合三元系ガスを用いることを特徴とする該窒化シリコン膜(3) のドライエッチング方法。