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J-GLOBAL ID：200903082563575036

位相シフト露光方法及び位相シフトマスクの作製方法

Inventor： 上澤 史且
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992255792
Publication number (International publication number)：1994083032
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光透過率の低いシフター材により位相シフト部を形成する技術においても、パターン幅の変動などの光透過率が低いことによる問題の生じないようにした位相シフト露光方法及びこれに用いる位相シフトマスクの作製方法を提供する。【構成】 ?@光透過部12A,12Bと、EBレジスト等から成る位相シフト部11とを形成した第1の位相シフトマスク(a)と、該第1の位相シフトマスクとは、光透過部と位相シフト部との位置を反転させて形成した第2の位相シフトマスク(b)とを用い、該第1の位相シフトマスクによる露光と、第2の位相シフトマスクによる露光との少なくとも2度の露光によって多重露光する位相シフト露光方法。?A上記?@の2つの位相シフトマスクを、同一のレチクルより作製する位相シフトマスクの作製方法。

Claim (excerpt)：

光透過部と、位相シフト部とを形成した第1の位相シフトマスクと、該第1の位相シフトマスクとは、光透過部と位相シフト部との位置を反転させて形成した第2の位相シフトマスクとを用い、該第1の位相シフトマスクによる露光と、第2の位相シフトマスクによる露光との少なくとも2度の露光によって多重露光することを特徴とする位相シフト露光方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W