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J-GLOBAL ID：200903082566252165

シリコン薄膜の結晶化方法および表示装置

Inventor： 川村 哲也 ,  前川 茂樹 ,  古田 守 ,  宮田 豊
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 武田 元敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993250681
Publication number (International publication number)：1995106247
Application date： Oct. 06, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 均質な結晶性をもったポリシリコン薄膜を得る。【構成】 キセノンフラッシュランプ5などを用い、短時間アニールにより少なくともシリコン薄膜2の表面部分を均質に結晶化させ、その後、エキシマレーザービーム3をオーバーラップさせながらシリコン薄膜2を照射し、膜全体の結晶性を高め均質で高性能なポリシリコン薄膜2′を得る。

Claim (excerpt)：

基板上に形成したシリコン薄膜に対し、フラッシュランプアニール法により前記シリコン薄膜の少なくとも表面部分を結晶化し、この後、レーザービームサイズが前記結晶化を行った領域より小さい第1のパルスレーザー光を前記結晶化領域に対して複数回照射し、かつ前記第1のパルスレーザー光の複数の照射領域を重ね合わせることを特徴とするシリコン薄膜の結晶化方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-365316
  
• 特開昭63-151014
  
• 特開昭63-060518
  
• 特開平3-072617