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J-GLOBAL ID：200903082567306846
化合物半導体薄膜形成法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
玉蟲 久五郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992030004
Publication number (International publication number)：1993198518
Application date： Jan. 21, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、格子欠陥,不純物の少ない高品質の化合物半導体薄膜を、1サイクル当り単原子層の成長速度セルフリミッティング現象を実現し成長することを特徴とする化合物半導体薄膜形成法を提供することを目的とする。【構成】 本発明においては、加熱された基板上に水素によって希釈されたIII族有機金属化合物とV族水素化物を水素キャリアガスによる停止工程を挟んで交互に基板上に流し、III 族有機金属化合物の導入を停止する工程において、停止時間が3分間以上であることまたは、停止工程において基板表面に紫外または可視光を照射することによって、III 族有機金属化合物の導入を停止する工程の後、基板上にIII 族元素の単原子層を形成し、前記表面にV族水素化物を供給し、V族単原子層を形成する工程を繰り返すことによって、III -V族化合物半導体の薄膜を基板上に形成することを特徴とする化合物半導体薄膜形成法としての構成を有する。
Claim (excerpt)：
III 族有機金属化合物およびV族水素化物を加熱された基板上に輸送し、熱分解によってIII -V族化合物半導体を基板上に成長させる化合物半導体薄膜形成法において、水素で希釈されたIII 族有機金属化合物を基板上に導入する第1の工程と、水素キャリアガスを輸送しながら前記有機金属化合物の導入を停止する第2の工程と、水素で希釈されたV族水素化物を基板上に導入する第3の工程と、水素キャリアガスを輸送しながら前記水素化物の導入を停止する第4の工程とを繰り返し、前記有機金属化合物がメチル基を有する金属化合物であり、前記水素キャリアガスを輸送しながら前記有機金属化合物の導入を停止する時間が3分以上であることを特徴とする化合物半導体薄膜形成法。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 25/14
, H01L 21/20
