電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：早瀬憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993096408
Publication number (International publication number)：1994310717
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 MOS型電界効果トランジスタにおいて、高周波動作化と高耐圧化を図る。【構成】ソース電極側に基板1と異なる導電型の高濃度不純物拡散層6aと、基板1の同一導電型でかつ基板1よりも不純物濃度の高い不純物拡散層7を形成する。【効果】ソース側の不純物拡散層を高濃度化することでトランジスタのオン抵抗の低減を図ることができ、また上記ソース側の不純物拡散層下方を基板よりも不純物濃度の高い不純物拡散層で覆うことにより、ドレイン・ソース間に逆電圧を印加した際に空乏層がゲート電極直下に拡がりにくくなり、パンチスルー降伏が抑制される。ソース電極側にのみ基板濃度よりも高い不純物拡散層が形成されているため、しきい値電圧の低下を招くことなく電子の移動度の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の基板上に絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、上記ゲート電極の一方側に形成された第2導電型のドレイン側低濃度不純物拡散層と、上記ゲート電極の他方側に形成された第2導電型のソース側高濃度不純物拡散層と、上記ソース側高濃度不純物拡散層の下側に、これを覆うよう形成され、上記基板よりも不純物濃度の高い第1導電型不純物拡散層とを備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-346233
特開昭56-008882
特開平4-288840

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