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J-GLOBAL ID：200903082568421916

高記録密度磁気ディスク用ガラス基板の製造方法

Inventor： 万波 和夫 ,  松下 恵造 ,  大須賀 卓生 ,  西村 佳昭
Applicant, Patent owner： 西村精工株式会社 ,  旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021810
Publication number (International publication number)：1998222842
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】表面欠陥のきわめて少ない高記録密度磁気ディスク用ガラス基板を得る。【解決手段】表面粗さRmax 20nm以下に研磨したガラス基板の表面をガラスの転移温度以下の温度でイオン交換した後、かかる基板の表面を研磨する。イオン交換後の研磨量は、イオン交換による圧縮応力層の厚さの5分の1以下が好ましい。

Claim (excerpt)：

表面粗さRmax 20nm以下に研磨したガラス基板の表面をガラスの転移温度以下の温度でイオン交換した後、かかる基板の表面を研磨することを特徴とする高記録密度磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。

IPC (3)：

G11B 5/84 ,  C03C 19/00 ,  C03C 21/00 101

FI (4)：

G11B 5/84 Z ,  G11B 5/84 A ,  C03C 19/00 A ,  C03C 21/00 101