ウェハーの二段式レーザー切断

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：河宮治 , 石野正弘
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002591226
Publication number (International publication number)：2004526335
Application date： May. 07, 2002
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：

半導体ウェハーを裁断する方法は、第1(302)、第2(332)のレーザー光線を回路基板(100)の上面へ向けるステップ;コーティング層を横断して第1のレーザー光線を走査してコーティング層のスクライブ線(102)を形成するステップ;およびスクライブ線に沿って第2のレーザー光線で回路基板を切断するステップを備える。本装置は、回路基板のコーティング層の上に置かれた第1の波長をもつ第1のレーザー、および第1のレーザーとは波長が異なり回路基板の表面の上に置かれた第2の波長を持つ第2のレーザー(324)を含む。コーティング層は、第1のレーザーの波長に対する第1の吸収係数を持っていて、半導体回路基板は、第1の吸収係数よりも小さい第2の吸収係数を持っている。第1のレーザー光線からのエネルギーがコーティング層に吸収されてスクライブ線を形成して、第2のレーザー光線がスクライブ線に沿って回路基板を切断する。

Claim (excerpt)：

コーティング層を持つ半導体回路基板を裁断する方法であって、以下のステップを備える: (a)第1のレーザー光線および第2のレーザー光線を、回路基板上面へ向けるステップ; (b)コーティング層を横断して、少なくともコーティング層の一部を除去する第1のレーザー光線を走査することにより、コーティング層にスクライブ線を形成するステップ;および (c)スクライブ線に沿って、第2のレーザー光線で回路基板を切断して、各切断面を形成するステップ。

IPC (3)：

H01L21/301 , B23K26/00 , B28D5/00

FI (4)：

H01L21/78 B , B23K26/00 D , B23K26/00 320E , B28D5/00 A

F-Term (16)：

3C069AA03 , 3C069BB01 , 3C069CA05 , 3C069EA01 , 3C069EA02 , 3C069EA03 , 3C069EA04 , 4E068AA05 , 4E068AD01 , 4E068AE01 , 4E068CA04 , 4E068CA11 , 4E068CE03 , 4E068DA10 , 4E068DA11 , 4E068DB06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

マルチヘッドレーザ彫刻機
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-228531 Applicant：カールバーゼルレーザーテクニークゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
特開昭58-143553
特開昭56-049539

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