Pat

J-GLOBAL ID：200903082580891391

突起電極およびその製造方法

Inventor： 菊地 正義
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997224778
Publication number (International publication number)：1999067776
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の突起電極において、突起電極の芯に絶縁樹脂を用いた構造では突起電極上にプローブ針をたてることができないため、半導体装置の突起電極形成後の検査が困難であった。突起電極以外の領域に検査専用のテスト電極を設けることもできるが半導体装置の面積を増加させコストアップとなる。【解決手段】 突起電極60の芯である絶縁樹脂を電極40と保護膜30にまたがらせる構造で、プローブを接触させる領域を確保し、かつ突起電極60の芯に絶縁樹脂を用いた構造で、突起電極60形成後の半導体装置10の検査が突起電極の形状を損なうことなくできる。また、突起電極60のレイアウト自由度も損なわれることが無く、頂部が平坦な突起電極60を得ることができる突起電極およびその製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体装置の電極上に開口部を有する保護膜と、電極と保護膜にまたがって半導体装置上に設ける絶縁樹脂と、電極上と絶縁樹脂上とにまたがって設けた金属膜とからなる突起電極であって、絶縁樹脂は保護膜の開口部の5〜60%の面積で電極にまたがって位置し、電極と絶縁樹脂にまたがって設けた金属膜は保護膜の開口部より大きく設けかつ絶縁樹脂の頂部を覆い、電極と電気的に導通していることを特徴とする突起電極。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4)：

H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 604 T