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J-GLOBAL ID：200903082591989318

集積回路とその製造方法

Inventor： サイレシュ マンシン マーシャント ,  アラン クマー ナンダ ,  プラディップ クマー ロイ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995337694
Publication number (International publication number)：1996255836
Application date： Dec. 04, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【課題】 現在の2分の1ミクロン以下のデザインルールにおける高アスペクト比のバイアス(開口)を金属で充填できる方法を提供する。【解決手段】 開口(バイアスすなわちウィンドウ)を有する集積回路の製造方法において、この開口をAlベースのプラグ16でもって充填するために所定の<111>方向を有し、最大3個の粒子を含んでいる。これらの特徴は、その後堆積されたAlアルミベース層16.1,16.2,16.3を堆積するような条件下で、組成制御用Ti層24を堆積することにより行う。この第3サブレイアの堆積の間、プラグの全体の微細構造が自動的に調整されその結果このプラグ16は、単一の粒子あるいは最大3個の粒子を含む。

Claim (excerpt)：

第1層と、第2層と、前記第1層と第2層を接続する相互接続構造とからなる集積回路(10)において、前記相互接続構造は、アルミ化Ti層と前記アルミ化Ti層の上に形成されたAlベースの層(16)とを有し、前記Alベースの層(16)は最大3個の粒子を含み、その結晶方向は<111>方向であることを特徴とする集積回路。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-162478   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-081323   Applicant：新日本製鐵株式会社