Pat

J-GLOBAL ID：200903082604256080

単結晶の製造方法及び製造装置

Inventor： 石橋 浩之 ,  倉田 靖 ,  蔵重 和央
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992246386
Publication number (International publication number)：1994092781
Application date： Sep. 16, 1992
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】単結晶の大きさ(直径)の制御が容易で、かつ単結晶の割れを未然に防ぐことのできる、良質な単結晶の製造方法又はその製造装置を提供する。【構成】原料のセリウム賦活希土類珪酸ガドリニウムをルツボに採り、図1の育成炉に入れ、高周波誘導(RF)コイルにより原料が融液となるまで加熱する。種結晶を融液に接触させ、これを1〜5mm/hの上昇速度及び10〜50rpmの回転速度で徐々に引き上げる。引上げ開始後、単結晶が安定して成長するまでは抵抗加熱ヒータによる加熱は行わず、単結晶の安定成長ののちにルツボの上部を抵抗加熱ヒータで徐々に加熱する。原料融液からの単結晶の切離しの後、高周波誘導によるルツボの加熱及び抵抗加熱ヒータによる加熱を徐々に弱め、炉内温度が室温に下がったのち、単結晶を取り出す。

Claim (excerpt)：

高周波誘導により加熱されるルツボに原料を採り、高周波誘導により加熱して原料を融液とし、その融液に種結晶の下端を接触させ、種結晶を引き上げながら成長させ、成長させた単結晶を融液から離し、冷却する単結晶の製造方法において、冷却の過程で、高周波誘導加熱には独立に加熱できるヒータにより保温しながら冷却することを特徴とする、単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 15/14 ,  C30B 29/34